학부연구생의 공부일지

1. Device Struecture

2. VDS가 상승할 때 동작

3. PMOS

4. CMOS

5. Thershold Voltage에서의 동작

6. I-V Characteristics of NMOS

7. Saturation 영역에서 Finite Output Resistance 효과

8. PMOS  I-V Characteristics

9. Current source로 동작하기 위한 Sat영역의 DC bias에서의 MOSFET

10. Body Effect

11. Temperature Effects

12. Breakdown , Input Protection

13. Depletion type MOSFET

1. Ideal Dioide

2. Rectifier(정류기)

3. Diode logis gate

4. Junction doide의 터미널 특성

5. Exponential 모델

6. Constant-Voltage Drop 모델

7. Idel-Diode 모델

8. Small-Signal 모델

9. 다이오드에 순방향 바이어스를 걸어 Voltage Regulator로 쓰는 법

10. Breakdown 동작

11. 온도효과, (Half wave, Full wave, Bridge)정류기

12. Limitting, Clamping 회로

13. Voltage Doubler

14. Schottky-Barrier 다이오드

1. Intrinsic semiconductor

2. Doped Semiconductors

3. Current Flow in Semiconductors

4. Diffusion Current

5. PN junction

6. 전압을 가한 PN junction

7. Bias와 breakdown

1. The Ideal Op-Amp

2. Inverting Configuration

3. 가중합 회로

4. Noninverting 회로

5. Finite open loop gain의 effect

6. Input/Output Resistance

7. Voltage Follower, unity-gain buffer

8. Difference Amp

9. Superior circuit

10. 적분기

11. 미분기