전자회로공학 1
[전자회로공학1]Chapter 5. MOSFET 전체
랩실노예
2021. 11. 15. 18:09
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1. Device Struecture
2. VDS가 상승할 때 동작
3. PMOS
4. CMOS
5. Thershold Voltage에서의 동작
6. I-V Characteristics of NMOS
7. Saturation 영역에서 Finite Output Resistance 효과
8. PMOS I-V Characteristics
9. Current source로 동작하기 위한 Sat영역의 DC bias에서의 MOSFET
10. Body Effect
11. Temperature Effects
12. Breakdown , Input Protection
13. Depletion type MOSFET
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